mask area

  • mask area
  • 释义

    局部蒙片;

纠错 数据更新时间:2026-08-27 19:34:59
1、

If the substrate temperature Ts is low ( 750 ℃-820 ℃), the nucleation density on the SiO2 Mask area is much smaller than that on th Si surface.

Ts较低时(750&820℃),PETEOS氧化硅区域成核密度远小于裸露硅表面;

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